Ein besonderer Erfolg für die gemeinsame Forschung des JRF-Instituts AMO - Gesellschaft für Angewandte Mikro- und Optoelektronik und dem Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente (ELD) der RWTH Aachen University: Die Publikation „Influence of Top Electrode Metal on Resistive Switching in Multilayer MOCVD MoS₂ Memristors“ wurde in die 10th Anniversary Collection der Fachzeitschrift Advanced Electronic Materials aufgenommen. Die ausgezeichnete Studie untersucht den Einfluss verschiedener Elektrodenmaterialien und Herstellungsverfahren auf das Schaltverhalten von MoS₂-basierten Memristoren.
Auszeichnung für gemeinsame Forschung von AMO und ELD
Aufnahme in die Anniversary Collection von Advanced Electronic Materials
